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廣東工業大學全日制研究生招生考試專業課考試大綱

考試科目名稱:（841）半導體物理

基本內容:（300字以內）

1.半導體的電子狀態:半導體的晶格結構和能帶結構，導帶，價帶，禁帶寬度，有效質量、空穴。計算半導體的禁帶寬度，電子和空穴的有效質量和準動量。
2．半導體中的雜質和缺陷能級：能用共價鍵模型和能帶模型解釋施主雜質和施主雜質的電離過程，受主雜質和受主雜質的電離過程。雜質能級和電離能。
3．半導體中的載流子的統計分布：狀態密度，費米能級，費米分布函數，計算不同溫度和不同摻雜濃度下，半導體中的電子和空穴濃度及費米能級。
4．半導體的導電性：漂移運動和漂移電流，遷移率，散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，電阻率與雜質濃度和溫度關系
5．載流子的注入與復合：非平衡載流子的產生和復合過程及其復合規律，非平衡少子的壽命，準費米能級、載流子的擴散運動和擴散電流，愛因斯坦關系，用連續性方程求解少子的運動和分布規律。
6半導體的霍耳效應。

題型要求及分數比例：（學術型、專業學位碩士生滿分150分）

1．基本概念題（30分）
2．填空和判斷題（20分）
3．計算題（60分）
4．綜合分析題（20分）
5．畫圖題（20分）（用圖形形象表達半導體物理的基本概念和基本物理過程）