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830-半導體物理

一、考試目的

《半導體物理》是微電子學與固體電子學碩士研究生入學考試的科目之一。《半導體物理》考試要力求反映微電子碩士學位的特點，科學、公平、準確、規(guī)范地測評考生的基本素質(zhì)和綜合能力，以利于選拔具有發(fā)展?jié)摿Φ膬?yōu)秀人才入學，為我國現(xiàn)代化建設事業(yè)與微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展培養(yǎng)適應我國現(xiàn)代化建設的實際需求，德智體全面發(fā)展，掌握微電子學專業(yè)所必需的知識、理論和實驗技能，能在微電子學及相關專業(yè)從事科研、教學、科技開發(fā)、工程技術、生產(chǎn)管理及行政管理等工作的專門人才。

二、考試要求

測試考生對半導體物理的基本概念、基礎知識的掌握情況和運用能力。

三、考試內(nèi)容

1.半導體中的電子狀態(tài)

1)半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)

2)半導體中的電子狀態(tài)和能帶

3)半導體中電子的運動 有效質(zhì)量

4)半導體的導電結(jié)構(gòu) 空穴

5)回旋共振

6)硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)

7)III-V族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)

8)II-VI族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)

2.半導體中雜質(zhì)和缺陷能級

1)硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級

2)III-V族化合物中的雜質(zhì)能級

3)缺陷、位錯能級

3.半導體中載流子的統(tǒng)計分布

1)狀態(tài)密度

2)費米能級和載流子的統(tǒng)計分布

3)本征半導體的載流子濃度

4)雜質(zhì)半導體的載流子濃度

5)一般情況下的載流子統(tǒng)計分布

6)簡并半導體

4.半導體的導電性

1)載流子的漂移運動 遷移率

2)載流子的散射

3)遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系

4)電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關系

5)強電場下的效應 熱載流子

6)歐姆定律的偏離

7)多能谷散射 耿氏效應

5.非平衡載流子

1)非平衡載流子的注入與復合

2)非平衡載流子的壽命

3)準費米能級

4)復合理論

5)陷阱效應

6)載流子的擴散運動

7)載流子的漂移運動 愛因斯坦關系式

8)d續(xù)性方程式

6.半導體的光學性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象

1)半導體的光學常數(shù)

2)半導體的光吸收

3)半導體的光電導

4)半導體的光生伏特效應

5)半導體發(fā)光

6)半導體激光

7.半導體磁和壓阻效應

1)霍爾效應

2)磁光效應

3)量子化霍爾效應

四、考試題型與分值

堅持理論聯(lián)系實際、基礎知識與理解運用相結(jié)合的原則，題型包括看圖分析、計算與推導、問答、簡述、名詞解釋等。本科目滿分150分。