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武漢理工大學材料科學與工程學院研究生導師：涂溶
研究生導師簡介
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姓 名
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涂溶
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性 別
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男
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民 族
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漢
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出生年月
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1972.04
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職 稱
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教授
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職 務
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聯系電話
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單位名稱
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新材所
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Email
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turong@whut.edu.cn
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實驗室網址
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http://fct.group.whut.edu.cn/cn/index.html
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研究方向
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l 功能薄膜與涂層
l 化學氣相沉積
l 物理氣相沉積
l 無機非金屬材料
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教育背景
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l 2000/4-2003/3，（日本）東北大學，工學研究科材料加工學，博士（工學）
l 1998/4-2000/3，（日本）東北大學，工學研究科材料物性學，工學碩士
l 1989/9-1993/6，武漢工業大學，材料科學，本科，工學學士
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工作經歷
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l 2012/9-至今，武漢理工大學，材料復合新技術國家重點實驗室，教授
l 2010/3-2012/8，（日本）東北大學，金屬材料研究所，準教授
l 2004/11-2010/3，（日本）東北大學，金屬材料研究所，助教
l 2003/4-2004/10，（日本）東北大學，金屬材料研究所，非常勤講師
l 1996/10-1998/3，（日本）東北大學，金屬材料研究所，外國人研究者
l 1993/7-1996/9，武漢工業大學，材料復合新技術國家重點實驗室，助手
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項目情況
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l 國家科技部國際合作專項項目，大尺寸碳化硅的激光化學氣相沉積技術及應用合作研發，2014/12-2017/11。
l 國際企業委托項目，鹵化物化學氣相沉積法制備Ti-Si-C復合材料厚膜成型技術，2015/01-2015/12。
l 國家自然科學基金項目，雙激光化學氣相沉積法制備刀具超硬涂層，2019.1-2022.12
l 國際合作項目，SiCN涂層的生物和血液相容性，2019.1-2021.12
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代表性學術
成果 |
1 Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang, J. Shi, H. Li, L. Zhang, et al., “High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [1] 1048–1057 (2018).
2 Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang, M. Yang, Q. Li, J. Shi, et al., “Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [2] 1471–1478 (2018).
3 P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang, Q. Li, et al., “Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [9] 3850–3856 (2018).
4 P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, et al., “Structural study of β-SiC(001) films on Si(001) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 100 [4] 1634–1641 (2017).
5 R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang, Z. Hu, T. Goto, and L. Zhang, “Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 99 [1] 84–88 (2016).
6. Tu, Rong，Li, Nian，Li, Qizhong，Zhang, Song，Zhang, Lianmeng，Goto, TakashiMicrostructure and mechanical properties of B4C-HfB2-SiC ternary eutectic composites prepared by arc melting，Journal of the European Ceramic Society，2016，36(4)：959-966。
7. Tu, Rong，Li, Nian，Li, Qizhong，Zhang, Song，Zhang, Lianmeng，Goto, TakashiEffect of microstructure on mechanical, electrical and thermal properties of B4C-HfB2 composites prepared by arc melting，Journal of the European Ceramic Society，2016，36(16)：3929-3937。
8 R. Tu, Q. Sun, S. Zhang, M. Han, Q. Li, H. Hirayama, L. Zhang, and T. Goto, “Oxidation Behavior of ZrB2-SiC Composites at Low Pressures,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 214–222 (2015).
9 S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “Growth Mechanism and Defects of <111>-Oriented β-SiC Films Deposited by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 236–241 (2015).
10 S. Zhang, Q. Xu, Q. Sun, P. Zhu, R. Tu, Z. Hu, M. Han, T. Goto, et al., “Effect of Pressure on Microstructure of <111>-Oriented β-SiC Films: Research Via Electron Backscatter Diffraction,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [12] 3713–3718 (2015).
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