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武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院研究生導(dǎo)師：章嵩

導(dǎo)師信息來源：武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 2019-07-12　相關(guān)院校：武漢理工大學(xué)

研究生導(dǎo)師簡介

姓名	章嵩	性別	男	民族	漢	出生年月	1982.01
職稱	副研究員	職務(wù)				聯(lián)系電話
單位名稱	新材所					Email	kobe@whut.edu.cn
實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)址	http://fct.group.whut.edu.cn/cn/index.html
研究方向	l 功能薄膜與涂層 l 化學(xué)氣相沉積 l 物理氣相沉積
教育背景	l 2000/09-2004/06 武漢理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)士 l 2004/09-2007/06 武漢理工大學(xué) 材料學(xué) 碩士 l 2007/09-2010/06 武漢理工大學(xué) 材料加工工程博士
工作經(jīng)歷	l 2010/09-2012/10 華中科技大學(xué) 電子科學(xué)與技術(shù)系博士后 l 2011/01-2012/10 日本東北大學(xué) 金屬材料研究所研究助手 l 2012/12- 武漢理工大學(xué) 新材料研究所副研究員\博士生導(dǎo)師
項(xiàng)目情況	l 國家科技部國際合作專項(xiàng)項(xiàng)目，大尺寸碳化硅的激光化學(xué)氣相沉積技術(shù)及應(yīng)用合作研發(fā)，2014/12-2017/11。 l 國際企業(yè)委托項(xiàng)目，鹵化物化學(xué)氣相沉積法制備Ti-Si-C復(fù)合材料厚膜成型技術(shù)，2015/01-2015/12。 l 基礎(chǔ)科研挑戰(zhàn)專題，XXX， 2017/09-2021/08。 l 國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，基于脈沖激光沉積富硼 B-C 薄膜的關(guān)鍵技術(shù)研究，2012/01-2014/12。 l 湖北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目，3C-SiC晶體缺陷表征與控制研究，2014/01-2015/12。
代表性學(xué)術(shù) 成果1–10	1 Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang, J. Shi, H. Li, L. Zhang, et al., “High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [1] 1048–1057 (2018). 2 Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang, M. Yang, Q. Li, J. Shi, et al., “Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [2] 1471–1478 (2018). 3 P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang, Q. Li, et al., “Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [9] 3850–3856 (2018). 4 P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, et al., “Structural study of β-SiC(001) films on Si(001) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 100 [4] 1634–1641 (2017). 5 R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang, Z. Hu, T. Goto, and L. Zhang, “Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 99 [1] 84–88 (2016). 6 R. Tu, Q. Sun, S. Zhang, M. Han, Q. Li, H. Hirayama, L. Zhang, and T. Goto, “Oxidation Behavior of ZrB2-SiC Composites at Low Pressures,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 214–222 (2015). 7 S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “Growth Mechanism and Defects of <111>-Oriented β-SiC Films Deposited by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 236–241 (2015). 8 S. Zhang, Q. Xu, Q. Sun, P. Zhu, R. Tu, Z. Hu, M. Han, T. Goto, et al., “Effect of Pressure on Microstructure of <111>-Oriented β-SiC Films: Research Via Electron Backscatter Diffraction,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [12] 3713–3718 (2015). 9 S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “High-Speed Preparation of <111>- and <110>-Oriented β-SiC Films by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 97 [3] 952–958 (2014). 10 Q. Li, S. Zhang*, C. Wang, Q. Shen, W. Lu, and L. Zhang, “Structural Evolution of B-C Thin Films Deposited from SPSed-Target and Dual-Target,” Journal of the American Ceramic Society, 97 [5] 1367–1370 (2014).

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